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通过表面的线扫描剖面测量，源能氢能科如图2b所示，表明突起岛的高度约为6.5Å，与α-Sb的完整单层一致。半层的波纹显示出不同的取向，转型展储这可能是由于dH-Sb和SnSe基片的堆积顺序不同所致。

引业图3显示了在不同的半层Sb区域拍摄的原子解析STM图像。领产块状黑磷可以通过高压或催化剂辅助来制备。典圆图1b显示了在∼400K温度下生长的α-Sb单层膜的表面形貌。

在这种生长条件下，满落幕形成了大规模的α-Sb单层岛。尽管对其同素异形体——蓝磷烯的生长进行了实验和理论研究，聚焦技盛但直接生长黑磷烯还是比较困难的。

为了更深入地研究生长机理，源能氢能科作者采用了一种交替的生长配方，源能氢能科即在低温∼350K的SnSe衬底上沉积Sb原子，从而限制了表面Sb原子的扩散，有效地抑制了从中间态到α-锑烯的相变。

此外，转型展储这些半层区域之间还存在轻微的结构起伏，进一步证实了它们的亚稳性质。本内容为作者独立观点，引业不代表材料人网立场

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